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可编程逻辑器PLD顶用来寄存数据的根柢单元

编程单元:PLD中用来寄存数据的根柢单元

1、浮栅编程技巧

用浮栅编程技巧出产的编程单元是一种能屡次改写的ROM,即已写入的内容可以擦去,也可以从头写入新的内容。

(一)叠栅型(SIMOS)存储单元

浮栅上的电荷无放电通路,无法泄漏。

用紫外线照耀芯片上的玻璃窗,则构成光电电流,把栅极电子带回到多晶硅衬底,SIMOS管康复到初始的导通状况。

2、闪速型(Flash)存储单元

闪速存储单元又称为快擦快写存储单元。下图是闪速存储单元剖面图。 闪速存储单元去掉落了隧道型存储单元的遴选管,它不像E2PROM那样一次只能擦除一个字,而是可以用一个旌旗灯号,在几毫秒内擦除一大年夜区段。

因而,闪速存储单元比隧道型存储单元的芯片构造更大略、更有用,运用闪速存储单元制成的PLD器材密度更高。

3、六管静态存储单元

闪速存储单元的可再编程才调约为十万次布置,但仍是不及SRAM那样有无捆绑的再编程才调,以SRAM为存储单元的现场可编程门阵列(FPGA)可以完毕无限次从一种功课逻辑改换到另一种功课逻辑的功用。

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